Name: NTBG080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG080N120SC1TR-ND
Price: 69.9017 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NTBG080N120SC1
Numărul produsului DigiKey	5556-NTBG080N120SC1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 5556-NTBG080N120SC1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 5556-NTBG080N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	NTBG080N120SC1
Descriere	SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Termen de livrare standard al producătorului	15 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 30A (Tc) 179W (Tc) Montare pe suprafață D2PAK-7
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	30A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	110mOhm la 20A, 20V
Vgs(th) (Max) la Id	4,3V la 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+25, Ieșire -15V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1154 pF @ 800 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	179W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	D2PAK-7
Pachet/cutie	TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Număr produs de bază	NTBG080