Name: NTBG040N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG040N120M3STR-ND
Price: 59.1206 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NTBG040N120M3S
Numărul produsului DigiKey	5556-NTBG040N120M3STR-ND - Bandă și mosor (TR) 5556-NTBG040N120M3SCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 5556-NTBG040N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	NTBG040N120M3S
Descriere	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Termen de livrare standard al producătorului	21 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 57A (Tc) 263W (Tc) Montare pe suprafață D2PAK-7
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) +22V, -10V
Prod. onsemi	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1700 pF @ 800 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 263W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1200 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 57A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 18V	Pachet dispozitiv furnizor D2PAK-7
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 54mOhm la 20A, 18V	Pachet/cutie TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Vgs(th) (Max) la Id 4,4V la 10mA	Număr produs de bază NTBG040
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 75 nC @ 18 V