NTB30N06G onsemi | Produse cu semiconductori discreți

NTB30N06G este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

Nexperia USA Inc.

În stoc: 19.230

Preț unitar : 6,01679 lei

Similar

Nexperia USA Inc.

În stoc: 0

Preț unitar : 9,77000 lei

Similar

Nexperia USA Inc.

În stoc: 11.682

Preț unitar : 11,12000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NTB30N06G
Numărul produsului DigiKey	NTB30N06G-ND
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	NTB30N06G
Descriere	MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 27A (Ta) 88,2W (Tc) Montare pe suprafață D2PAK
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	27A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	42mOhm la 15A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1200 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	88,2W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	D2PAK
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	NTB30