Name: NTB082N65S3F
Brand: onsemi
SKU: NTB082N65S3FOSTR-ND
Price: 56.6522 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NTB082N65S3F
Numărul produsului DigiKey	NTB082N65S3FOSTR-ND - Bandă și mosor (TR) NTB082N65S3FOSCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) NTB082N65S3FOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	NTB082N65S3F
Descriere	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	NTB082N65S3F Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 81 nC @ 10 V
Prod. onsemi	Vgs (Max) ±30V
Serie SuperFET® III	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 3410 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 313W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 40A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-263 (D2PAK)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 82mOhm la 20A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 5V la 4mA	Număr produs de bază NTB082