HUF76419S3ST-F085 onsemi | Produse cu semiconductori discreți

HUF76419S3ST-F085 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

Infineon Technologies

În stoc: 1.646

Preț unitar : 9,11000 lei

Similar

Infineon Technologies

În stoc: 25.443

Preț unitar : 8,46000 lei

Similar

Nexperia USA Inc.

În stoc: 0

Preț unitar : 9,77000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

HUF76419S3ST-F085
Numărul produsului DigiKey	HUF76419S3ST-F085TR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	HUF76419S3ST-F085
Descriere	MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 29A (Tc) 100W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR)
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	29A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	35mOhm la 29A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	28.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	870 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	100W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	HUF76