Name: FQD8P10TM-F085
Brand: onsemi
SKU: FQD8P10TM-F085TR-ND
Price: 10.8537 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FQD8P10TM-F085
Numărul produsului DigiKey	FQD8P10TM-F085TR-ND - Bandă și mosor (TR) FQD8P10TM-F085CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) FQD8P10TM-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FQD8P10TM-F085
Descriere	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Termen de livrare standard al producătorului	12 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 100 V 6,6A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Montare pe suprafață TO-252AA
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	FQD8P10TM-F085 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±30V
Prod. onsemi	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 470 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,5W (Ta), 44W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 6,6A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-252AA
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 530mOhm la 3,3A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA	Număr produs de bază FQD8P10
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 15 nC @ 10 V