Name: FQD19N10LTM
Brand: onsemi
SKU: FQD19N10LTMTR-ND
Price: 8.9177 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FQD19N10LTM
Numărul produsului DigiKey	FQD19N10LTMTR-ND - Bandă și mosor (TR) FQD19N10LTMCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) FQD19N10LTMDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FQD19N10LTM
Descriere	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Termen de livrare standard al producătorului	14 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 15,6A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Montare pe suprafață TO-252AA
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 18 nC @ 5 V
Prod. onsemi	Vgs (Max) ±20V
Serie QFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 870 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 155°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 15,6A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-252AA
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 100mOhm la 7,8A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 2V la 250µA	Număr produs de bază FQD19N10