Name: FQB55N10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB55N10TMTR-ND
Price: 16.6133 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FQB55N10TM
Numărul produsului DigiKey	FQB55N10TMTR-ND - Bandă și mosor (TR) FQB55N10TMCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) FQB55N10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FQB55N10TM
Descriere	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	8 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 55A (Tc) 3,75W (Ta), 155W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	FQB55N10TM Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	QFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	55A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	26mOhm la 27,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2730 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,75W (Ta), 155W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	FQB55N10