FQB33N10LTM onsemi | Produse cu semiconductori discreți

FQB33N10LTM este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended

onsemi

În stoc: 1.513

Preț unitar : 32,87000 lei

Similar

Nexperia USA Inc.

În stoc: 2.544

Preț unitar : 11,29000 lei

Similar

Nexperia USA Inc.

În stoc: 2.458

Preț unitar : 14,26000 lei

Similar

STMicroelectronics

În stoc: 0

Preț unitar : 14,39000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FQB33N10LTM
Numărul produsului DigiKey	FQB33N10LTMTR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FQB33N10LTM
Descriere	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 33A (Tc) 3,75W (Ta), 127W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	QFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR)
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	33A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	52mOhm la 16,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	40 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1630 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,75W (Ta), 127W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	FQB33N10