FQB30N06LTM onsemi | Produse cu semiconductori discreți

FQB30N06LTM este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

Infineon Technologies

În stoc: 1.646

Preț unitar : 9,11000 lei

Similar

Nexperia USA Inc.

În stoc: 0

Preț unitar : 9,77000 lei

Similar

Nexperia USA Inc.

În stoc: 80

Preț unitar : 20,93000 lei

Similar

Nexperia USA Inc.

În stoc: 11.682

Preț unitar : 11,12000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FQB30N06LTM
Numărul produsului DigiKey	FQB30N06LTMTR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FQB30N06LTM
Descriere	MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 32A (Tc) 3,75W (Ta), 79W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	FQB30N06LTM Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	QFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR)
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	32A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	35mOhm la 16A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	20 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1040 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,75W (Ta), 79W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	FQB30N06