Name: FDS4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS4435BZTR-ND
Price: 6.0863 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FDS4435BZ
Numărul produsului DigiKey	FDS4435BZTR-ND - Bandă și mosor (TR) FDS4435BZCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) FDS4435BZDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FDS4435BZ
Descriere	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Termen de livrare standard al producătorului	36 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 8,8A (Ta) 2,5W (Ta) Montare pe suprafață 8-SOIC
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	FDS4435BZ Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 40 nC @ 10 V
Prod. onsemi	Vgs (Max) ±25V
Serie PowerTrench®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1845 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,5W (Ta)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 155°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 8,8A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-SOIC
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 20mOhm la 8,8A, 10V	Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Vgs(th) (Max) la Id 3V la 250µA	Număr produs de bază FDS4435