FDPF20N50 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended


onsemi
În stoc: 995
Preț unitar : 23,74000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 393
Preț unitar : 11,67000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 511
Preț unitar : 7,20000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 1.994
Preț unitar : 15,10000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 11.346
Preț unitar : 12,86000 lei
Fișă de date

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 18
Preț unitar : 19,66000 lei
Fișă de date
Canal-N 500 V 20A (Tc) 38,5W (Tc) Orificiu străpuns TO-220F-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FDPF20N50

Numărul produsului DigiKey
FDPF20N50-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
FDPF20N50
Descriere
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 500 V 20A (Tc) 38,5W (Tc) Orificiu străpuns TO-220F-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
FDPF20N50 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
230mOhm la 10A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
59.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
3120 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
38,5W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.