FDG6313N onsemi | Produse cu semiconductori discreți

FDG6313N este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

onsemi

În stoc: 21.461

Preț unitar : 2,01000 lei

Similar

Nexperia USA Inc.

În stoc: 0

Preț unitar : 2,96000 lei

Similar

Vishay Siliconix

În stoc: 1

Preț unitar : 3,44000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FDG6313N
Numărul produsului DigiKey	FDG6313N-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FDG6313N
Descriere	MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 25V 500mA 300mW Montare pe suprafață SC-88 (SC-70-6)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	FDG6313N Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	onsemi
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR)
Stare piesă	Inactual
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Configurație	Canal 2 N (dublu)
Caracteristică FET	Poartă logică
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	25V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	500mA
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	450mOhm la 500mA, 4,5V
Vgs(th) (Max) la Id	1,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	2,3nC la 4,5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	50pF la 10V
Putere - Max	300mW
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor	SC-88 (SC-70-6)
Număr produs de bază	FDG6313