Name: FDD86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86102LZFSTR-ND
Price: 12.584 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FDD86102LZ
Numărul produsului DigiKey	FDD86102LZFSTR-ND - Bandă și mosor (TR) FDD86102LZFSCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) FDD86102LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FDD86102LZ
Descriere	MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Termen de livrare standard al producătorului	20 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 8A (Ta), 35A (Tc) 3,1W (Ta), 54W (Tc) Montare pe suprafață TO-252AA
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	FDD86102LZ Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 26 nC @ 10 V
Prod. onsemi	Vgs (Max) ±20V
Serie PowerTrench®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1540 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3,1W (Ta), 54W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 8A (Ta), 35A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-252AA
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 22,5mOhm la 8A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 3V la 250µA	Număr produs de bază FDD86102