Name: FDD1600N10ALZ
Brand: onsemi
SKU: FDD1600N10ALZTR-ND
Price: 8.6515 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FDD1600N10ALZ
Numărul produsului DigiKey	FDD1600N10ALZTR-ND - Bandă și mosor (TR) FDD1600N10ALZCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) FDD1600N10ALZDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FDD1600N10ALZ
Descriere	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Termen de livrare standard al producătorului	20 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 6,8A (Tc) 14,9W (Tc) Montare pe suprafață TO-252AA
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	FDD1600N10ALZ Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 3.61 nC @ 10 V
Prod. onsemi	Vgs (Max) ±20V
Serie PowerTrench®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 225 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 14,9W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 155°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 6,8A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-252AA
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 160mOhm la 3,4A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 2,8V la 250µA	Număr produs de bază FDD1600