Name: FDC658AP
Brand: onsemi
SKU: FDC658APTR-ND
Price: 4.9852 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FDC658AP
Numărul produsului DigiKey	FDC658APTR-ND - Bandă și mosor (TR) FDC658APCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) FDC658APDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FDC658AP
Descriere	MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
Termen de livrare standard al producătorului	29 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 4A (Ta) 1,6W (Ta) Montare pe suprafață SuperSOT™-6
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	FDC658AP Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 8.1 nC @ 5 V
Prod. onsemi	Vgs (Max) ±25V
Serie PowerTrench®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 470 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 1,6W (Ta)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 4A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor SuperSOT™-6
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 50mOhm la 4A, 10V	Pachet/cutie SOT-23-6 subțire, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) la Id 3V la 250µA	Număr produs de bază FDC658