FDB3672-F085 onsemi | Produse cu semiconductori discreți

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FDB3672-F085
Numărul produsului DigiKey	FDB3672-F085TR-ND - Bandă și mosor (TR) FDB3672-F085CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FDB3672-F085
Descriere	MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 7,2A (Ta), 44A (Tc) 120W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	FDB3672-F085 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT)
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	7,2A (Ta), 44A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	28mOhm la 44A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1710 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	120W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	FDB3672