FDB12N50FTM-WS este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended

FDB20N50F
onsemi
În stoc: 4.222
Preț unitar : 19,35000 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
Canal-N 500 V 11,5A (Tc) 165W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 500 V 11,5A (Tc) 165W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
TO-263

FDB12N50FTM-WS

Numărul produsului DigiKey
FDB12N50FTM-WSTR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător
onsemi
Numărul produsului producătorului
FDB12N50FTM-WS
Descriere
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 500 V 11,5A (Tc) 165W (Tc) Montare pe suprafață TO-263 (D2PAK)
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
FDB12N50FTM-WS Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
onsemi
Serie
UniFET™
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
11,5A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
700mOhm la 6A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1395 pF @ 25 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
165W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet/cutie
TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază
FDB12N50
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.