FCP16N60N este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended


onsemi
În stoc: 760
Preț unitar : 19,09000 lei
Fișă de date

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 642
Preț unitar : 21,24000 lei
Fișă de date

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 3.074
Preț unitar : 24,88000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 298
Preț unitar : 26,37000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 26
Preț unitar : 25,76000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 254
Preț unitar : 29,75000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 21,63000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 873
Preț unitar : 21,72000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 882
Preț unitar : 17,47000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 600
Preț unitar : 15,23000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 379
Preț unitar : 18,78000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 260
Preț unitar : 33,17000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 112
Preț unitar : 29,88000 lei
Fișă de date
Canal-N 600 V 16A (Tc) 134,4W (Tc) Orificiu străpuns TO-220-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FCP16N60N

Numărul produsului DigiKey
FCP16N60N-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
FCP16N60N
Descriere
MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 16A (Tc) 134,4W (Tc) Orificiu străpuns TO-220-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
FCP16N60N Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
199mOhm la 8A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
52.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2170 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
134,4W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.