Name: FCMT080N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCMT080N65S3TR-ND
Price: 37.1954 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

FCMT080N65S3
Numărul produsului DigiKey	488-FCMT080N65S3TR-ND - Bandă și mosor (TR) 488-FCMT080N65S3CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 488-FCMT080N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	FCMT080N65S3
Descriere	MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 38A (Tc) 260W (Tc) Montare pe suprafață 4-TDFN (8x8)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 71 nC @ 10 V
Prod. onsemi	Vgs (Max) ±30V
Serie SuperFET® III	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2765 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 260W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 38A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor 4-TDFN (8x8)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 80mOhm la 19A, Ieșire 10V	Pachet/cutie 4-PowerTSFN
Vgs(th) (Max) la Id 4,5V la 880µA	Număr produs de bază FCMT080