2SJ652-1E onsemi | Produse cu semiconductori discreți

2SJ652-1E este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

onsemi

În stoc: 3.692

Preț unitar : 18,53000 lei

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

În stoc: 0

Preț unitar : 2,32671 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

2SJ652-1E
Numărul produsului DigiKey	2SJ652-1EOS-ND
Producător	onsemi
Numărul produsului producătorului	2SJ652-1E
Descriere	MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 60 V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Orificiu străpuns TO-220F-3SG
Modele EDA/CAD	2SJ652-1E Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	onsemi
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	28A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	38mOhm la 14A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	–
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4360 pF @ 20 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatură de funcționare	150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-220F-3SG
Pachet/cutie	Pachet complet TO-220-3
Număr produs de bază	2SJ652