NX7002BKMBYL NXP Semiconductors | Produse cu semiconductori discreți

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NX7002BKMBYL
Numărul produsului DigiKey	2156-NX7002BKMBYL-954-ND
Producător	NXP Semiconductors
Numărul produsului producătorului	NX7002BKMBYL
Descriere	NEXPERIA NX7002B - 60V, N-CHANNE
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 350mA (Ta) 350mW (Ta), 3,1W (Tc) Montare pe suprafață DFN1006B-3
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	NXP Semiconductors
Serie	TrenchMOS™
Ambalaj	Vrac
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	350mA (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,8Ohm la 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,1V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	1 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	23.6 pF @ 10 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	350mW (Ta), 3,1W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	DFN1006B-3
Pachet/cutie	3-XFDFN