Name: PSMN1R2-80CSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R2-80CSEJTR-ND
Price: 43.8383 RON
Availability: OutOfStock

PSMN1R2-80CSEJ nu mai este pe stoc și poate fi inclus în comenzi în așteptare.

Produse înlocuitoare disponibile:

Echivalente parametric

Nexperia USA Inc.

În stoc: 248

Preț unitar : 40,33000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

PSMN1R2-80CSEJ
Numărul produsului DigiKey	1727-PSMN1R2-80CSEJTR-ND - Bandă și mosor (TR) 1727-PSMN1R2-80CSEJCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 1727-PSMN1R2-80CSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Nexperia USA Inc.
Numărul produsului producătorului	PSMN1R2-80CSEJ
Descriere	N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Termen de livrare standard al producătorului	13 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 375A (Ta) 935W (Tc) Montare pe suprafață CCPAK1212i
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	375A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,18mOhm la 25A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,6V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	350 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	26187 pF @ 40 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	935W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	CCPAK1212i
Pachet/cutie	12-BESOP (0,370", 9,40mm lățime), plăcuță expusă