BUK769R6-80E,118 Nexperia USA Inc. | Produse cu semiconductori discreți

BUK769R6-80E,118 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

În stoc: 0

Preț unitar : 3,67379 lei

Similar

onsemi

În stoc: 24.085

Preț unitar : 15,39000 lei

Similar

IXYS

În stoc: 558

Preț unitar : 24,50000 lei

Similar

IXYS

În stoc: 0

Preț unitar : 10,34628 lei

Similar

Rohm Semiconductor

În stoc: 600

Preț unitar : 32,83000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

BUK769R6-80E,118
Numărul produsului DigiKey	1727-1092-2-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	Nexperia USA Inc.
Numărul produsului producătorului	BUK769R6-80E,118
Descriere	MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 75A (Tc) 182W (Tc) Montare pe suprafață D2PAK
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR)
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	75A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	9,6mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	59.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4682 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	182W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	D2PAK
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	BUK769