Name: NV6029
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6029TR-ND
Price: 70.4946 RON
Availability: InStock

Produs nou

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

NV6029
Numărul produsului DigiKey	1913-NV6029TR-ND - Bandă și mosor (TR) 1913-NV6029CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 1913-NV6029DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Navitas Semiconductor, Inc.
Numărul produsului producătorului	NV6029
Descriere	GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 800 V 30A (Tc) 135W (Tc) Montare pe suprafață 8-PDFN (8x8)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 8 nC @ 6 V
Prod. Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs (Max) +7V, -10V
Serie GaNFast™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 227 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 135W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C
Tehnologie GaNFET (nitrură de galiu)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 800 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 30A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V	Pachet dispozitiv furnizor 8-PDFN (8x8)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 70mOhm la 12A, 6V	Pachet/cutie Plăcuță expusă 8-VDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,8V la 24mA