Canal P 30 V 650mA (Tj) 740mW (Ta) Orificiu străpuns TO-92-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

VP3203N3-G

Numărul produsului DigiKey
VP3203N3-G-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
VP3203N3-G
Descriere
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Termen de livrare standard al producătorului
4 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal P 30 V 650mA (Tj) 740mW (Ta) Orificiu străpuns TO-92-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
VP3203N3-G Modele
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Afișați atributele goale
Categorie
Vgs (Max)
±20V
Prod.
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
300 pF @ 25 V
Ambalaj
Pungă
Caracteristică FET
Stare piesă
Activ
Disipare putere (Max)
740mW (Ta)
Tip FET
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie
Grad
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
30 V
Calificare
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tip montare
Orificiu străpuns
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
4,5V, 10V
Pachet dispozitiv furnizor
TO-92-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
600mOhm la 3A, 10V
Pachet/cutie
Vgs(th) (Max) la Id
3,5V la 10mA
Număr produs de bază
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
În stoc: 1.089
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Pungă
Cantitate Preț unitar Ext Price
18,02000 lei8,02 lei
256,67600 lei166,90 lei
1006,02570 lei602,57 lei
Preț unitar fără TVA:8,02000 lei
Preț unitar cu TVA:9,70420 lei