Name: MSC080SMA120SDT/R
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Price: 59.5925 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

MSC080SMA120SDT/R
Numărul produsului DigiKey	150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Producător	Microchip Technology
Numărul produsului producătorului	MSC080SMA120SDT/R
Descriere	MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Termen de livrare standard al producătorului	4 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Montare pe suprafață TO-263-7
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 64 nC @ 20 V
Prod. Microchip Technology	Vgs (Max) Ieșire +23V, Ieșire -10V
Serie MSiC™ MA	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 838 pF @ 1000 V
Ambalaj Vrac	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 182W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1200 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 35A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 20V	Pachet dispozitiv furnizor TO-263-7
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 100mOhm la 15A, Ieșire 20V	Pachet/cutie TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Vgs(th) (Max) la Id 2,8V la 1mA

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 797

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Vrac

Preț unitar fără TVA:	49,25000 lei
Preț unitar cu TVA:	59,59250 lei

MSC080SMA120SDT/R