Canal-N 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Montare pe suprafață TO-263-7
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

MSC080SMA120SDT/R

Numărul produsului DigiKey
150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Producător
Microchip Technology
Numărul produsului producătorului
MSC080SMA120SDT/R
Descriere
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Termen de livrare standard al producătorului
4 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Montare pe suprafață TO-263-7
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Microchip Technology
Serie
MSiC™ MA
Ambalaj
Vrac
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
35A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
100mOhm la 15A, Ieșire 20V
Vgs(th) (Max) la Id
2,8V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (Max)
Ieșire +23V, Ieșire -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
838 pF @ 1000 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
182W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263-7
Pachet/cutie
TO-263-8, D2PAK (7 conductoare + lamelă), TO-263CA
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 797
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Vrac
Cantitate Preț unitar Ext Price
148,89000 lei48,89 lei
2545,10080 lei1.127,52 lei
10039,24790 lei3.924,79 lei
Preț unitar fără TVA:48,89000 lei
Preț unitar cu TVA:59,15690 lei