Canal N, mod epuizare 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Orificiu străpuns TO-92-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

LND150N3-G

Numărul produsului DigiKey
LND150N3-G-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
LND150N3-G
Descriere
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Termen de livrare standard al producătorului
6 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal N, mod epuizare 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Orificiu străpuns TO-92-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
LND150N3-G Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Pungă
Stare piesă
Activ
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
0V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
1000Ohm la 500µA, 0V
Vgs(th) (Max) la Id
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
10 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
740mW (Ta)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-92-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 5.717
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Pungă
Cantitate Preț unitar Ext Price
12,58000 lei2,58 lei
252,23800 lei55,95 lei
1001,97960 lei197,96 lei
Preț unitar fără TVA:2,58000 lei
Preț unitar cu TVA:3,12180 lei