Canal N, mod epuizare 350 V 120mA (Tj) 1W (Tc) Orificiu străpuns TO-92 (TO-226)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DN2535N3-G

Numărul produsului DigiKey
DN2535N3-G-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
DN2535N3-G
Descriere
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
Termen de livrare standard al producătorului
4 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal N, mod epuizare 350 V 120mA (Tj) 1W (Tc) Orificiu străpuns TO-92 (TO-226)
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
DN2535N3-G Modele
Atributele produsului
Filtrați produsele similare
Afișați atributele goale
Categorie
Vgs (Max)
±20V
Prod.
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
300 pF @ 25 V
Ambalaj
Pungă
Caracteristică FET
Stare piesă
Activ
Disipare putere (Max)
1W (Tc)
Tip FET
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie
Grad
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
350 V
Calificare
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tip montare
Orificiu străpuns
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
0V
Pachet dispozitiv furnizor
TO-92 (TO-226)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
25Ohm la 120mA, 0V
Pachet/cutie
Vgs(th) (Max) la Id
Număr produs de bază
Clasificări referitoare la mediu și export
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse
Resurse suplimentare
În stoc: 354
Verificați stoc primit suplimentar
Toate prețurile sunt în RON
Pungă
Cantitate Preț unitar Ext Price
13,94000 lei3,94 lei
253,33800 lei83,45 lei
1003,07790 lei307,79 lei
Preț unitar fără TVA:3,94000 lei
Preț unitar cu TVA:4,76740 lei