Canal-N 1200 V 90A (Tc) – Montare pe suprafață TO-268AA (D3Pak-HV)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

MCB60I1200TZ-TUB

Numărul produsului DigiKey
238-MCB60I1200TZ-TUB-ND
Producător
IXYS
Numărul produsului producătorului
MCB60I1200TZ-TUB
Descriere
SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 90A (Tc) – Montare pe suprafață TO-268AA (D3Pak-HV)
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
MCB60I1200TZ-TUB Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
IXYS
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
90A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
20V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
34mOhm la 50A, 20V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 15mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
160 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2790 pF @ 1000 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
–
Temperatură de funcționare
-40°C – 175°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268AA (D3Pak-HV)
Pachet/cutie
TO-268-3, D3PAK (2 conductoare + lamelă), TO-268AA
Număr produs de bază
MCB60I1200
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Tipuri de pachete alternative.