Name: IXTT110N10L2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT110N10L2-TRLTR-ND
Price: 132.9669 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IXTT110N10L2-TRL
Numărul produsului DigiKey	238-IXTT110N10L2-TRLTR-ND - Bandă și mosor (TR) 238-IXTT110N10L2-TRLCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 238-IXTT110N10L2-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	IXYS
Numărul produsului producătorului	IXTT110N10L2-TRL
Descriere	MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Termen de livrare standard al producătorului	20 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Montare pe suprafață TO-268 (IXTT)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 260 nC @ 10 V
Prod. IXYS	Vgs (Max) ±20V
Serie Linear L2™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 10500 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 600W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 110A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-268 (IXTT)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 18mOhm la 55A, 10V	Pachet/cutie TO-268-3, D3PAK (2 conductoare + lamelă), TO-268AA
Vgs(th) (Max) la Id 4,5V la 250µA	Număr produs de bază IXTT110