IXTP10N60PM este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 488
Preț unitar : 10,97000 lei
Fișă de date

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 0
Preț unitar : 2,18304 lei
Fișă de date

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 373
Preț unitar : 13,08000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.942
Preț unitar : 8,69000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 2.523
Preț unitar : 20,67000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 8,25000 lei
Fișă de date
Canal-N 600 V 5A (Tc) 50W (Tc) Orificiu străpuns TO-220-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IXTP10N60PM

Numărul produsului DigiKey
IXTP10N60PM-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IXTP10N60PM
Descriere
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 5A (Tc) 50W (Tc) Orificiu străpuns TO-220-3
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
740mOhm la 5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1610 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
50W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.
Nu se poate anula/Nu se poate returna