Canal-N 250 V 30A (Tc) 200W (Tc) Orificiu străpuns TO-247 (IXTH)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IXTH30N25

Numărul produsului DigiKey
IXTH30N25-ND
Producător
IXYS
Numărul produsului producătorului
IXTH30N25
Descriere
MOSFET N-CH 250V 30A TO247
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 250 V 30A (Tc) 200W (Tc) Orificiu străpuns TO-247 (IXTH)
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
IXYS
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
30A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
75mOhm la 15A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
3950 pF @ 25 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
200W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet/cutie
TO-247-3
Număr produs de bază
IXTH30
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică.
Nu se poate anula/Nu se poate returna