IXTH21N50 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended

IXTH22N50P
IXYS
În stoc: 300
Preț unitar : 32,03000 lei
Fișă de date

Similar

IXFH22N50P
IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 33,17000 lei
Fișă de date

Similar

IPW50R250CPFKSA1
Infineon Technologies
În stoc: 0
Preț unitar : 6,29817 lei
Fișă de date

Similar

STW19NM50N
STMicroelectronics
În stoc: 313
Preț unitar : 31,42000 lei
Fișă de date

Similar

STW20NK50Z
STMicroelectronics
În stoc: 1.096
Preț unitar : 21,06000 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
Canal-N 500 V 21A (Tc) 300W (Tc) Orificiu străpuns TO-247 (IXTH)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IXTH21N50

Numărul produsului DigiKey
IXTH21N50-ND
Producător
IXYS
Numărul produsului producătorului
IXTH21N50
Descriere
MOSFET N-CH 500V 21A TO247
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 500 V 21A (Tc) 300W (Tc) Orificiu străpuns TO-247 (IXTH)
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
IXYS
Serie
MegaMOS™
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
21A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
250mOhm la 10,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
4200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
300W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet/cutie
TO-247-3
Număr produs de bază
IXTH21
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.