IXTH14N100 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

STW11NK100Z
STMicroelectronics
În stoc: 28
Preț unitar : 33,75000 lei
Fișă de date

Similar

STW13NK100Z
STMicroelectronics
În stoc: 499
Preț unitar : 57,44000 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
Canal-N 1000 V 14A (Tc) 360W (Tc) Orificiu străpuns TO-247 (IXTH)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IXTH14N100

Numărul produsului DigiKey
IXTH14N100-ND
Producător
IXYS
Numărul produsului producătorului
IXTH14N100
Descriere
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1000 V 14A (Tc) 360W (Tc) Orificiu străpuns TO-247 (IXTH)
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
IXYS
Serie
MegaMOS™
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
14A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
820mOhm la 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
5650 pF @ 25 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
360W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet/cutie
TO-247-3
Număr produs de bază
IXTH14
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.
Nu se poate anula/Nu se poate returna