IXTH12N100 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Microchip Technology
În stoc: 66
Preț unitar : 73,81000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 28
Preț unitar : 31,51000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 499
Preț unitar : 53,71000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 749
Preț unitar : 14,17000 lei
Fișă de date
Canal-N 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) Orificiu străpuns TO-247 (IXTH)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IXTH12N100

Numărul produsului DigiKey
IXTH12N100-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IXTH12N100
Descriere
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) Orificiu străpuns TO-247 (IXTH)
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
1,05Ohm la 6A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
4000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
300W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.
Nu se poate anula/Nu se poate returna