IXFH9N80Q este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies
În stoc: 1.799
Preț unitar : 3,00000 lei
Fișă de date

Similar

SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
În stoc: 2.127
Preț unitar : 4,32000 lei
Fișă de date

Similar

STW10NK80Z
STMicroelectronics
În stoc: 534
Preț unitar : 4,68000 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
Canal-N 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Orificiu străpuns TO-247AD (IXFH)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Orificiu străpuns TO-247AD (IXFH)
HiPerFET_TO-247-3

IXFH9N80Q

Numărul produsului DigiKey
IXFH9N80Q-ND
Producător
IXYS
Numărul produsului producătorului
IXFH9N80Q
Descriere
MOSFET N-CH 800V 9A TO247AD
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Orificiu străpuns TO-247AD (IXFH)
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Q Class
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
9A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
1,1Ohm la 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 2,5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
180W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AD (IXFH)
Pachet/cutie
TO-247-3
Număr produs de bază
IXFH9
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.
Nu se poate anula/Nu se poate returna