IXFH36N55Q2 IXYS | FET-uri, MOSFET-uri individuale

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IXFH36N55Q2
Numărul produsului DigiKey	IXFH36N55Q2-ND
Producător	IXYS
Numărul produsului producătorului	IXFH36N55Q2
Descriere	MOSFET N-CH 550V 36A TO247AD
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 550 V 36A (Tc) 560W (Tc) Orificiu străpuns TO-247AD (IXFH)

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 110 nC @ 10 V
Prod. IXYS	Vgs (Max) ±30V
Serie HiPerFET™, Q2 Class	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 4100 pF @ 25 V
Ambalaj Tub	Caracteristică FET –
Stare piesă Inactual	Disipare putere (Max) 560W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 550 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 36A (Tc)	Tip montare Orificiu străpuns
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-247AD (IXFH)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 180mOhm la 500mA, 10V	Pachet/cutie TO-247-3
Vgs(th) (Max) la Id 5V la 4mA	Număr produs de bază IXFH36

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

Inactual

Acest produs nu se mai fabrică.

Nu se poate anula/Nu se poate returna

IXFH36N55Q2