IXFH14N60P3 IXYS | Produse cu semiconductori discreți

IXFH14N60P3
Numărul produsului DigiKey	IXFH14N60P3-ND
Producător	IXYS
Numărul produsului producătorului	IXFH14N60P3
Descriere	MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 14A (Tc) 327W (Tc) Orificiu străpuns TO-247AD (IXFH)
Fișă de date	Fișă de date

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar3™
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	14A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	540mOhm la 7A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1480 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	327W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-247AD (IXFH)
Pachet/cutie	TO-247-3
Număr produs de bază	IXFH14

Aveți nevoie de ajutor?

Părere

Sunt de acord să primesc e-mailuri de marketing de la DigiKey (opțional). Înțeleg că îmi pot retrage consimțământul în orice moment. Vă rugăm să consultați Notificarea noastră de confidențialitate.