SPB80N06S08ATMA1 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 1.664
Preț unitar : 11,03000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 376
Preț unitar : 12,30000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 266
Preț unitar : 9,33000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 921
Preț unitar : 12,16000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 2.667
Preț unitar : 10,46000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 2.009
Preț unitar : 11,29000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 410
Preț unitar : 17,40000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 9.560
Preț unitar : 9,11000 lei
Fișă de date

Direct


STMicroelectronics
În stoc: 1.625
Preț unitar : 15,09000 lei
Fișă de date

Direct


STMicroelectronics
În stoc: 554
Preț unitar : 17,05000 lei
Fișă de date

Direct


STMicroelectronics
În stoc: 449
Preț unitar : 13,95000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 2.085
Preț unitar : 33,35000 lei
Fișă de date

Similar


Nexperia USA Inc.
În stoc: 11.682
Preț unitar : 11,12000 lei
Fișă de date

Similar


Nexperia USA Inc.
În stoc: 160
Preț unitar : 13,08000 lei
Fișă de date
PG-TO263-3-2
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SPB80N06S08ATMA1

Numărul produsului DigiKey
448-SPB80N06S08ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător
Numărul produsului producătorului
SPB80N06S08ATMA1
Descriere
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-2
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
7,7mOhm la 80A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 240µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
187 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
3660 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
300W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Automobile
Calificare
AEC-Q101
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.