SPB80N06S08ATMA1 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 1.670
Preț unitar : 11,10000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 99
Preț unitar : 13,65000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 3
Preț unitar : 9,70000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 3.228
Preț unitar : 12,24000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 737
Preț unitar : 11,28000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 2.011
Preț unitar : 11,37000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 1.184
Preț unitar : 17,51000 lei
Fișă de date

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 7.502
Preț unitar : 9,17000 lei
Fișă de date

Direct


STMicroelectronics
În stoc: 1.496
Preț unitar : 14,88000 lei
Fișă de date

Direct


STMicroelectronics
În stoc: 1.550
Preț unitar : 15,18000 lei
Fișă de date

Direct


STMicroelectronics
În stoc: 449
Preț unitar : 14,04000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 1.884
Preț unitar : 33,57000 lei
Fișă de date

Similar


Nexperia USA Inc.
În stoc: 6.006
Preț unitar : 8,95000 lei
Fișă de date

Similar


Nexperia USA Inc.
În stoc: 152
Preț unitar : 10,53000 lei
Fișă de date
Canal-N 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-2
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

SPB80N06S08ATMA1

Numărul produsului DigiKey
448-SPB80N06S08ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător
Numărul produsului producătorului
SPB80N06S08ATMA1
Descriere
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-2
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
7,7mOhm la 80A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 240µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
187 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
3660 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
300W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Automobile
Calificare
AEC-Q101
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3-2
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.