Name: SPB17N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB17N80C3ATMA1TR-ND
Price: 25.8577 RON
Availability: InStock

SPB17N80C3ATMA1
Numărul produsului DigiKey	SPB17N80C3ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) SPB17N80C3ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) SPB17N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	SPB17N80C3ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	SPB17N80C3ATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Nu pentru designuri noi
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	800 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	17A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	290mOhm la 11A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,9V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	177 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2300 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	227W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3-2
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	SPB17N80

Preț unitar fără TVA:	21,37000 lei
Preț unitar cu TVA:	25,85770 lei

SPB17N80C3ATMA1