Name: ISZ106N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ106N12LM6ATMA1TR-ND
Price: 13.6609 RON
Availability: OutOfStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

ISZ106N12LM6ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-ISZ106N12LM6ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-ISZ106N12LM6ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-ISZ106N12LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	ISZ106N12LM6ATMA1
Descriere	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 120 V 10A (Ta), 62A (Tc) 2,5W (Ta), 94W (Tc) Montare pe suprafață PG-TSDSON-8 FL
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	120 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	10A (Ta), 62A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	3,3V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	10,6mOhm la 28A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,2V la 35µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1800 pF @ 60 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,5W (Ta), 94W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TSDSON-8 FL
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	ISZ106