Name: ISC320N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC320N12LM6ATMA1TR-ND
Price: 7.9739 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

ISC320N12LM6ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-ISC320N12LM6ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-ISC320N12LM6ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-ISC320N12LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	ISC320N12LM6ATMA1
Descriere	TRENCH >=100V
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 120 V 6,4A (Ta), 24A (Tc) 3W (Ta), 43W (Tc) Montare pe suprafață SuperSO8
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 10.1 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™ 6	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 650 pF @ 60 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3W (Ta), 43W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 120 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 6,4A (Ta), 24A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 3,3V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor SuperSO8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 32mOhm la 9A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,2V la 11µA	Număr produs de bază ISC320N