Name: ISC019N10NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC019N10NM8SCATMA1TR-ND
Price: 49.731 RON
Availability: OutOfStock

Produs nou

Canal-N 100 V 26A (Ta), 245A (Tc) 3W (Ta), 268W (Tc) Montare pe suprafață PG-WSON-8-2

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

ISC019N10NM8SCATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-ISC019N10NM8SCATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-ISC019N10NM8SCATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-ISC019N10NM8SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	ISC019N10NM8SCATMA1
Descriere	ISC019N10NM8SCATMA1
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 26A (Ta), 245A (Tc) 3W (Ta), 268W (Tc) Montare pe suprafață PG-WSON-8-2
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 133 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™ 8	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 8800 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3W (Ta), 268W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 26A (Ta), 245A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) Ieșire 8V, Ieșire 15V	Pachet dispozitiv furnizor PG-WSON-8-2
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,93mOhm la 50A, 15V	Pachet/cutie 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) la Id 3,2V la 114µA