Name: IRFS4229TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS4229TRLPBFTR-ND
Price: 28.6407 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRFS4229TRLPBF
Numărul produsului DigiKey	IRFS4229TRLPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRFS4229TRLPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRFS4229TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRFS4229TRLPBF
Descriere	MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 250 V 45A (Tc) 330W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IRFS4229TRLPBF Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 110 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±30V
Serie HEXFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 4560 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 330W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -40°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 250 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 45A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 48mOhm la 26A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 5V la 250µA	Număr produs de bază IRFS4229