IRFS4010PBF Infineon Technologies | Produse cu semiconductori discreți

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRFS4010PBF
Numărul produsului DigiKey	IRFS4010PBF-ND
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRFS4010PBF
Descriere	MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Montare pe suprafață D2PAK
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Digi-Key nu mai oferă acest produs
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	180A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	4,7mOhm la 106A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	215 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	9575 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	375W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	D2PAK
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB

Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

0 În stoc

Din cauza limitării temporare a aprovizionării, nu putem accepta comenzi în așteptare, iar termenul de livrare nu este disponibil în acest moment. Se Tipuri de pachete alternative.

V-ar mai putea interesa șiVizualizare toate

2 Articole