Name: IRFR15N20DTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR15N20DTRPBFTR-ND
Price: 12.6929 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRFR15N20DTRPBF
Numărul produsului DigiKey	IRFR15N20DTRPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRFR15N20DTRPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRFR15N20DTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRFR15N20DTRPBF
Descriere	MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 200 V 17A (Tc) 3W (Ta), 140W (Tc) Montare pe suprafață
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 41 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±30V
Serie HEXFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 910 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3W (Ta), 140W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 200 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 17A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-252AA (DPAK)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 165mOhm la 10A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 5,5V la 250µA	Număr produs de bază IRFR15