IRFL4105TRPBF Infineon Technologies | Produse cu semiconductori discreți

IRFL4105TRPBF
Numărul produsului DigiKey	IRFL4105TRPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRFL4105TRPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRFL4105TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRFL4105TRPBF
Descriere	MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 55 V 3,7A (Ta) 1W (Ta) Montare pe suprafață SOT-223
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IRFL4105TRPBF Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	55 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	3,7A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	45mOhm la 3,7A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	660 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	1W (Ta)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	SOT-223
Pachet/cutie	TO-261-4, TO-261AA
Număr produs de bază	IRFL4105

Preț unitar fără TVA:	4,74000 lei
Preț unitar cu TVA:	5,73540 lei

IRFL4105TRPBF