Name: IRFH5020TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5020TRPBFTR-ND
Price: 13.1164 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRFH5020TRPBF
Numărul produsului DigiKey	IRFH5020TRPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRFH5020TRPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRFH5020TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRFH5020TRPBF
Descriere	MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 200 V 5,1A (Ta) 3,6W (Ta), 8,3W (Tc) Montare pe suprafață 8-PQFN (5x6)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IRFH5020TRPBF Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 54 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie HEXFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2290 pF @ 100 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Nu pentru designuri noi	Disipare putere (Max) 3,6W (Ta), 8,3W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 200 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 5,1A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-PQFN (5x6)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 55mOhm la 7,5A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 5V la 150µA	Număr produs de bază IRFH5020

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 7.671

Verificați stoc primit suplimentar

Nerecomandat pentru modele noi, se pot aplica minime.

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®