Name: IRFH5015TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5015TRPBFTR-ND
Price: 11.5918 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRFH5015TRPBF
Numărul produsului DigiKey	IRFH5015TRPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRFH5015TRPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRFH5015TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRFH5015TRPBF
Descriere	MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 150 V 10A (Ta), 56A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) Montare pe suprafață 8-PQFN (5x6)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IRFH5015TRPBF Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 50 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie HEXFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2300 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3,6W (Ta), 156W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 150 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 10A (Ta), 56A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-PQFN (5x6)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 31mOhm la 34A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 5V la 150µA	Număr produs de bază IRFH5015